Ortsdiskretisierung – Das Gitter ist an den Orten, an denen starke Änderungen der Potentiale zu erwarten sind hinreichend klein zu gestalten…
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Jahr: 2006
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Ausgangspunkt
Als Ausgangspunkt für die theoretische Betrachtung im dynamischen Fall dient ein eindimensionales Modell zur Berechnung des statischen Verhaltens von HBT’s.
Die Erläuterung zur Kleinsignalanalyse werden in (1) ausführlich vorgenommen. Zur Durchführung der Devicesimulation lassen sich Techniken benutzen.
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Vorbetrachtungen
Vorbetrachtungen,
Es gibt grundsätzlich zwei Möglichkeiten zur Beschreibung von Transportprozessen in Halbleitern. Dabei handelt es sich um folgende.
Für besonders schnelle Bauelemente scheinen Halbleitermaterialien, wie GaAs und andere III/V Halbleiter besonders prädestiniert zu sein. Anwendungsgebiete
Wie auch aus der Abbildung 1 zu ersehen ist, besteht die Basis aus einer hochdotierten SiGe- Schicht, während Emitter und Kollektor aus Si- Schichten bestehen.
Es gibt viele verschiedene Konzepte von HBTs, welche sich in der Reihenfolge und der Anzahl der einzelnen verwendeten Schichten unterscheiden.
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Einleitung
Einleitung: Die Entwicklungen auf dem Gebiet der Festkörperforschung und auf dem Gebiet der Einführung Mikroelektronik stehen in enger Beziehung zueinander.
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Gliederung
Gliederung: Grundbetrachtungen der Modellierungstechniken zur Beschreibung des dynamischen Verhaltens von Halbleiterbauelementen und Kleinsignalanalyse.
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Thema
Thema: Untersuchung der Strategien zur Erzeugung von Gittern für die zweidimensionale Devicesimulation